Кустов, Е. Ф. Потери на ионизацию газовыхвключений и неполный пробой диэлектриков на основе стекла / Е. Ф. Кустов, С. В. Серебрянников, М. Е. Кустов>. - Текст : электронный // Электричество. - 2016. - № 2. - С. 65-70
Систем. требования: Internet Explorer 4.0.2 и выше. - ЭБ КрИЖТ ИрГУПС
Рубрики: Электрическое поле Кл.слова (ненормированные): ДИЭЛЕКТРИК -- ГАЗОВЫЕВКЛЮЧЕНИЯ -- ИОНИЗАЦИЯ -- ПЛОТНОСТЬ ТОКА -- ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПЛОТНОСТЬ Аннотация: Выведена формула относительной плотности тока при ионизации газовыхвключений в диэлектрике, которая объясняет увеличение диэлектрических потерь, уменьшение результирующей диэлектрической проницаемости и электрической плотности. Показано, что с увеличением размеров газовыхвключений значение тока ионизации уменьшается, зависимость электрического поля от напряженности становится пологой кривой, насыщение наступает при меньших значениях Е. Исследуется явление неполного пробоя стекла за счет ионизации воздушных включений, выведена формула для пробивной напряженности Епр для многих неорганических материалов, щелочно - галоидных соединений, стекол. Рассматривается явление упрочнения диэлектриков в магнитном поле. Магнитное поле уменьшает ток ударной ионизации и увеличивает электрическую прочность. Влияние магнитного поля зависит от подвижности носителей заряда, поэтому электрическое упрочнение должно наблюдаться в материалах с большой подвижностью зарядов.